中教数据库
我是读者 我是作者 期刊社 学术百科
期刊
期刊
论文
    中教数据库 > 大连交通大学学报 > 文章详情

    Cr掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算

    更新时间:2015-07-17

    《大连交通大学学报》2015年4期
    收藏 下载 投稿 纸媒订阅

    【摘要】通过第一性原理计算研究了Cr掺杂4H-SiC电子结构和磁性。

    【关键词】

    1960 2页 免费

    发表评论

    登录后发表评论 (已发布 0条)

    点亮你的头像 秀出你的观点

    0/500
    以上留言仅代表用户个人观点，不代表中教立场
    相关文献
    相关期刊

    《航空精密制造技术》

    《火控雷达技术》

    《航空航天医学杂志》

    热门文献

    精选文献

    推荐期刊

    010-56259535

    关注中教数据库

    Copyright © 2013-2016 ZJHJ Corporation,All Rights Reserved

    京ICP备2021022288号-1

    京公网安备 11011102000866号